[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210552964.1 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115440694A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 奥西勅子;波多俊幸 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/49;H01L23/544;H02M7/00;H02P27/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件。为了减小用于大电流应用的半导体器件中的导通电阻，半导体器件包括源极端子引线，该源极端子引线在平面图中位于栅极端子引线与开尔文端子引线之间并且经由多个导线与源极端子电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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