[发明专利]一种光电及射线辐射线阵硅微条探测器制备工艺

摘要

一种光电及射线辐射线阵硅微条探测器制备工艺，探测器的单像素结构制备流程如下，步骤一：在高阻N型低掺杂半导体衬底上，通过离子注入形成一个N型重掺杂区域，经沟槽刻蚀、外延生长、离子注入形式形成三维P型重掺杂及其同掺杂类型的展臂结构；步骤二：在重掺杂区域的像素边缘通过沟槽刻蚀、外延生长、离子注入形式形成三维N型重掺杂，像素N型重掺杂区域通过金属电极引出，加载高电位，其中，半导体衬底的底部为N型重掺杂区域；步骤三：对像素中部的三维P型重掺杂及其同掺杂类型的展臂结构通过金属电极引出，加载低电位。本发明可以降低光生载流子的漂移行程，能提高整体探测效率，避免像素间电荷串扰，能加速子载流子收集。