[发明专利]一种基于石墨烯/聚吡咯纳米管3D插层结构的复合薄膜功能材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202210558326.0 申请日: 2022-05-20
公开(公告)号: CN114901058A 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 贾晓龙;郭天乐;黎何丰;吉早明;宋宇霄;刘聪;王洪涛;杨小平 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及电磁屏蔽材料领域,尤其涉及一种基于石墨烯/聚吡咯纳米管3D插层结构的复合薄膜功能材料的制备方法。本发明基于软模板法,利用磺酸基染料为结构导向剂,成功调控聚吡咯的导电性能和微观形貌,得到尺寸均一的高导电性聚吡咯纳米管(ppyNT)。利用氧化石墨烯(GO)自组装特性,采用简单高效的真空抽滤法诱导ppyNT有序插入GO纳米片层间,形成独立自支撑的GO/ppyNT复合薄膜。采用温和、低能耗的两步法还原GO恢复其sp2长程共轭结构,为3D插层结构的石墨烯/聚吡咯纳米管复合薄膜电磁屏蔽功能材料提供了可规模化生产的方法。该材料在具有高电磁屏蔽效能的同时还具有抗折叠、耐腐蚀以及耐高低温的特性,在柔性电子设备的电磁屏蔽领域显示出巨大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 吡咯 纳米 结构 复合 薄膜 功能 材料 制备 方法
【主权项】:
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