[发明专利]一种全黑晶硅太阳能电池及其制备方法与光伏组件

摘要

本发明涉及一种全黑晶硅太阳能电池及其制备方法与光伏组件，所述制备方法包括如下步骤：(1)PECVD法在硅片正面沉积膜层，所述膜层为层叠结构，所述膜层的包括最内层SiNx层，厚度在20nm以上，得到正面镀膜硅片；(2)对所得正面镀膜硅片进行背面PECVD和激光开槽，得到粗制硅太阳能电池；(3)对所得粗制硅太阳能电池进行丝网印刷和电注入后，得到所述全黑晶硅太阳能电池。本发明提供的制备方法中通过PECVD法在硅片正面沉积膜层，设计了最内层SiNx层的材料和厚度，尤其是厚度在20nm以上时，影响了入射光在电池表面的吸收和反射效果，使得几乎全部被吸收，而仅有极少量被反射，从而得到全黑硅晶太阳能电池。