[发明专利]沟槽型MOSFET在审
| 申请号： | 202210561756.8 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN115377185A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·皮克;菲尔·鲁特 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;李荣胜 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管，即沟槽型MOSFET，以及制造这种晶体管的方法。更具体地，本发明涉及具有深沟槽的沟槽型MOSFET，该深沟槽与更浅的栅极限定沟槽相邻以获得RESURF效应。根据本发明，在漂移区中形成与漂移区的电荷类型相似的电荷类型的离子注入区。离子注入区在沟槽型MOSFET的深沟槽下方延伸，并与深沟槽的基底垂直对准。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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