[发明专利]一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法在审
| 申请号： | 202210561948.9 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114892123A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 秦林;梁冠杰;高乐;王玲玲;王琨 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C8/38 | 分类号： | C23C8/38 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 杨斌华 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法，属于热处理工艺技术领域，可解决小孔周围容易出现打弧现象而导致的工件产生弧光烧蚀而失效的问题，该工艺包括：先将有孔零部件预处理，将工件置于氮化炉，通入氮气和氢气，通过炉内气压、工件电压和温度协同调节来消除打弧风险，达到小孔离子氮化效果。氮化温度0.9~1.0 Tw，炉内压力300~6000Pa，电压0~‑1200 V，离子氮化2.0~10.0小时。与传统的离子氮化工艺相比，本发明在离子氮化工艺部分，创新性使用一种温度控制模式，升温过程采用低气压高电压模式，降温过程采用高气压低电压模式，通过调节气压和电压来控制温度，避免打弧，从而提高有孔工件的离子氮化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 小孔 风险 离子 氮化 方法 | ||
【主权项】：
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