[发明专利]基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210564563.8 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114975776A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;高士伟;曹丽雯;朱小芹 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/20;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 毛姗 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料及其制备方法与应用；所述的相变薄膜材料是以锑作为靶材通过磁控溅射到PEEK柔性衬底上获得。制备：(1)PEEK柔性衬底准备：将PEEK柔性衬底清洗，烘干，作为待溅射的基片，待用；(2)磁控溅射准备：将Sb靶材安装于磁控溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，以高纯氩气作为溅射气体；(3)靶材清洁：将空的基托转到Sb靶位，开启Sb靶上的射频电源，对Sb靶材表面进行溅射，去除Sb靶材表面杂质；(4)磁控溅射制备基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜：将待溅射的基片置于基托上，将基托转到Sb靶位，溅射生成基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料。应用：该相变薄膜材料在柔性相变存储器中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 peek 柔性 衬底 sb 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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