[发明专利]一种集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202210566009.3 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114664790B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吕正良;黄震麟;郑志成 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包括衬底；层间介质层，形成于所述衬底上，所述层间介质层中形成有开口；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；导电结构，填充于所述开口中，且所述导电结构的顶面高度低于所述扩散阻挡层的侧壁的顶面高度；刻蚀停止层，覆盖所述层间介质层的顶面、所述导电结构的顶面、所述扩散阻挡层的顶面和所述扩散阻挡层的部分侧壁。通过利用化学机械研磨的工艺在研磨到扩散阻挡层时，增加过研磨工艺中研磨导电材料层的时间，去除所述开口内预定高度的导电材料层，增加后续的蚀刻停止层与所述扩散阻挡层侧壁附着的表面积，使蚀刻停止层更牢靠，降低测试中刻蚀停止层剥离的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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