[发明专利]一种TaNbTi基难熔中熵非晶合金涂层及其制备方法在审
申请号: | 202210569722.3 | 申请日: | 2022-05-24 |
公开(公告)号: | CN114959584A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 王亚强;李星;张金钰;吴凯;刘刚;孙军 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/02;C22C30/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种TaNbTi基难熔中熵非晶合金涂层及其制备方法,该合金涂层为TaNbTiCr或TaNbTiAl,其组成元素都为等原子比。在单面抛光的单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaNbTi基难熔中熵合金涂层,靶材为两个TaNbTi合金靶纯度99.9wt.%,一个Cr靶纯度99.95wt.%或一个Al靶纯度99.99wt.%,通过磁控溅射共溅射技术制备的TaNbTi基难熔中熵合金涂层,微观结构为致密均匀的非晶组织,内部缺陷少,元素分布均匀,粗糙度极小,截面断口呈韧窝状花纹形貌,该TaNbTi基难熔中熵合金涂层具有优异的力学性能、抗氧化和耐腐蚀性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 tanbti 基难熔中熵非晶 合金 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210569722.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类