[发明专利]一种吡嗪稠和噻吩酰亚胺基n型聚合物半导体材料及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202210569790.X 申请日: 2022-05-24
公开(公告)号: CN115028809B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 郭旭岗;马苏翔;冯奎;王俊玮;张昊 申请(专利权)人: 南方科技大学
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H10K85/10
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 徐凯凯
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种吡嗪稠和噻吩酰亚胺基n型聚合物半导体材料及其制备方法与应用,其中,吡嗪稠和噻吩酰亚胺基n型聚合物半导体材料的化学结构通式为:其中,R为C1‑C60烷基;X为氧原子、硫原子和硒原子中的任意一种;Y为氢原子,氟原子和氯原子中的任意一种;Ar选自单键、C2‑C60烯基和C3‑C60杂芳环中的任意一种;n的取值为1‑50的整数。在该n型聚合物半导体材料中,噻吩酰亚胺作为基体具有优良的溶解性和缺电的分子结构,吡嗪环的引入加深了所述苯并噻吩酰亚胺的缺电性,使所制备的n型聚合物半导体LUMO能级更低,可调的光电性质更佳优异,在有机太阳能电池、有机场效应晶体管或有机热电领域具有优异的应用潜力。
搜索关键词: 一种 吡嗪稠 噻吩 胺基 聚合物 半导体材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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