[发明专利]一种用于GaN功率管半桥驱动的高抗扰电路在审

专利信息
申请号: 202210570464.0 申请日: 2022-05-24
公开(公告)号: CN114865890A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 孙伟锋;袁清;魏涛;郑逸飞;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/088;H02M1/32
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 陈建和
地址: 210096 江苏省南京市四*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于GaN功率管半桥驱动中高抗扰电路,分别在高/低侧驱动电路与高/低侧GaN功率管之间设置高/低侧高抗扰电路,高/低侧高抗扰电路内均设有由正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路构成的串扰抑制辅助回路,正、负向串扰电压尖峰吸收电路相互配合,对GaN电路的正向、反向串扰问题能够产生良好的抑制效果,使得驱动电路能可靠工作。
搜索关键词: 一种 用于 gan 功率管 驱动 高抗扰 电路
【主权项】:
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