[发明专利]一种用于GaN功率管半桥驱动的高抗扰电路在审
申请号: | 202210570464.0 | 申请日: | 2022-05-24 |
公开(公告)号: | CN114865890A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 孙伟锋;袁清;魏涛;郑逸飞;时龙兴 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/088;H02M1/32 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210096 江苏省南京市四*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于GaN功率管半桥驱动中高抗扰电路,分别在高/低侧驱动电路与高/低侧GaN功率管之间设置高/低侧高抗扰电路,高/低侧高抗扰电路内均设有由正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路构成的串扰抑制辅助回路,正、负向串扰电压尖峰吸收电路相互配合,对GaN电路的正向、反向串扰问题能够产生良好的抑制效果,使得驱动电路能可靠工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 gan 功率管 驱动 高抗扰 电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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