[发明专利]一种硫化铅胶体量子点、量子点薄膜和器件的制备方法在审
申请号: | 202210573186.4 | 申请日: | 2022-05-25 |
公开(公告)号: | CN115050894A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 高亮;陈铎;唐江;张建兵;曾祥斌;刘宇轩 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44;C23C14/34;C23C14/08 |
代理公司: | 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 | 代理人: | 徐员兰 |
地址: | 430000 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点、量子点薄膜和器件的制备方法,属于量子点材料技术领域,本发明提出了一种新的钝化策略,使大尺寸(直径d4nm)的PbS CQDs通过卤化物钙钛矿异质外延桥接电荷中性(100)面。光致发光(PL)光谱表明,钙钛矿桥的存在可以显著抑制CQDs通过(100)个面的融合;X射线光电子能谱(XPS)表明氧化现象的抑制;在老化实验中观察到PbS CQDs固体带尾态的减少和离子迁移的抑制,证明了钝化效果的改善;最后,基于该钝化量子点制备的器件,如红外探测器获得了良好的性能,包括抑制的暗电流密度,增强的光响应和提高的工作稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化铅 胶体 量子 薄膜 器件 制备 方法 | ||
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