[发明专利]提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备有效
| 申请号： | 202210573797.9 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114995750B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘刚;刘晓健;王嵩 | 申请（专利权）人： | 北京得瑞领新科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人： | 李丽颖 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区西小口路66号*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及数据存储技术领域，提供了一种提高闪存数据可靠性的方法、装置、存储介质及存储设备，该方法包括：对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作；在对擦除后的目标存储单元进行数据写入时，若当前待写入的存储态为最低态，则采用预设的优化编程验证电压对目标存储单元进行最低态的编程，所述优化编写验证电压低于擦除操作对应的擦除验证电压。本发明在对待写入数据的目标存储单元进行擦除操作之后，通过将写入数据为最低态的存储单元采用预设的优化编程验证电压进行编程，使得数据写入后E态没有极低的阈值电压，从而避免了极低阈值电压存储单元与临近层高存储态的搭配影响数据保持时间的问题，提高数据的Retention特性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 闪存 数据 可靠性 方法 装置 存储 介质 设备 | ||
【主权项】：
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