[发明专利]一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置在审
| 申请号： | 202210573832.7 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114990696A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 曹艳芳;赵宁;陈海芹;王波;彭同华;刘春俊;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张影 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种生长低夹杂包裹物碳化硅单晶的装置，该装置中设置有位于碳化硅原料表面和内部的多个阻隔盘，该多个阻隔盘中部分阻隔盘的中心区域设置有通孔，部分阻隔盘的边缘区域设置有通孔，这些阻隔盘的设置一方面可阻挡和过滤生长气流中的硅碳颗粒和杂质颗粒，防止夹杂颗粒直接传输至生长界面；另外由于气流在碳化硅原料中曲线贯穿，可以促进原料蒸发分解，从而缓解了生长气流的富硅或富碳程度，减少了晶体中的夹杂硅碳颗粒包裹物，可以获得高质量的碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 夹杂 包裹 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京天科合达半导体股份有限公司，未经北京天科合达半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210573832.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
