[发明专利]用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路有效
| 申请号： | 202210577194.6 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114879794B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘智;于洪波;师娅;姚思远 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于LDO频率补偿的片内电容实现电路及LDO电路，包括第一启动电路模块；第一启动电路模块的输出端与第一电流比例增大电路模块的输入端相连，第二启动电路的输出端与第二电流比例增大模块的输入端相连；电容C0的负极与第一电流比例增大电路模块的输入端相连，电容C0的正极与第二电流比例增大电路模块的输出端相连；第二电流比例增大电路模块的输入端还与第一电流比例增大电路模块的输出端相连；第一电流比例增大电路模块的输出端还与第二启动电路模块的输入端相连；本发明实现了片内电容面积不变而等效容值增大，有效减小了LDO芯片面积；所述实现电路结构简单，占用芯片面积小，易于在各种CMOS工艺上移植。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ldo 频率 补偿 电容 实现 电路 | ||
【主权项】：
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