[发明专利]一种TOPCon钝化结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210578420.2 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114664979A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟康;任勇;陈德爽;何悦;任海亮 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/24;C23C16/56 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张金刚 |
| 地址： | 322118 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种TOPCon钝化结构的制备方法。本发明TOPCon钝化结构的制备方法包括以下步骤：（1）炉管内杂质抽空；（2）进行本征多晶硅淀积；（3）将炉管中多余的硅烷抽出；（4）原位掺杂多晶硅层淀积；（5）充惰性气体出舟。本发明还公开了一种TOPCon钝化结构的制备方法得到的结构。该方法有效提高了背钝化层生长速率的同时降低方块电阻，提升了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 topcon 钝化 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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