[发明专利]一种P型硅背接触电池和制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法，属于硅片电池制备技术领域，电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上；达到提高P型背接触电池转换效率的技术效果。