[发明专利]一种带有终止结构的氮化镓功率半导体在审
| 申请号： | 202210583160.8 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115020470A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘一锋 | 申请（专利权）人： | 绍兴芯能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L23/00;H01L23/12;H01L23/16;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人： | 张彦 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带有终止结构的氮化镓功率半导体，包括支架、功率半导体主体、衬板和截止环，支架的顶端设置有功率半导体主体，且功率半导体主体内部的底端设置有衬板，功率半导体主体内部的中央位置处设置有漂移区，且漂移区的顶侧设置有介质层，介质层与漂移区之间的一端设置有主结，且介质层与漂移区之间的中央位置处均匀分布有分压环，介质层与漂移区之间的另一端设置有截止环，且介质层的顶侧设置有钝化层，钝化层与介质层之间设置有金属层。本发明通过安装有功率半导体主体、漂移区、介质层、金属层、分压环、主结、截止环以及钝化层，利于减小功率半导体主体的漏电的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 终止 结构 氮化 功率 半导体 | ||
【主权项】：
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