[发明专利]一种保护low-k介质的有源芯片硅通孔制作方法在审
| 申请号： | 202210585490.0 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN115000005A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种保护low‑k介质的有源芯片硅通孔制作方法，包括：提供有源芯片，其中所述有源芯片包括衬底、金属互连层以及位于衬底与金属互连层之间的有源层，且所述有源层和金属互连层均具有通孔区，所述金属互连层包括多层介质层、位于多层介质层之间的low‑k介质以及位于介质层和low‑k介质中的金属布线；刻蚀介质层和low‑k介质形成第一通孔；在介质层的上表面以及第一通孔的内壁制作保护层；在介质层的上方以及第一通孔内布置光刻胶，并通过光刻去除第一通孔中的部分光刻胶形成孔图形，然后刻蚀孔图形底部暴露出的保护层；刻蚀位于孔图形之下的有源层中的通孔区和衬底形成硅通孔；以及去除光刻胶，并清洗硅通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 low 介质 有源 芯片 硅通孔 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210585490.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
