[发明专利]一种单粒子效应引发阱电势调制的建模方法在审
| 申请号： | 202210588208.4 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114818566A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 丁李利;王坦;张凤祁;陈伟;罗尹虹 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐秦中 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明为解决现有单粒子效应电路仿真方法不适用于监测任意位置、任意时刻的阱电势扰动或阱电势调制的技术问题，提供了一种单粒子效应引发阱电势调制的建模方法。具体包括以下步骤：1)确定待分析工艺对应的阱电阻表达式及参数取值；2)计算条带型阱接触布局对应的阱间电流源；3)提取对应工艺电路版图中的待分析最小独立单元；4)依据步骤1)、步骤2)计算得到的待分析工艺对应的特征信息，针对步骤3)提取得到的待分析最小独立单元，计算给定阱接触布局和入射位置情况下的阱间电流源；5)选定任意位置，计算得到单粒子效应引发阱电势调制随时间的变化关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 引发 电势 调制 建模 方法 | ||
【主权项】：
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