[发明专利]一种半嵌入银纳米线复合透明电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202210588366.X | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114898913A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李永文;王靖翔 | 申请（专利权）人： | 珠海铖特新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 官群 |
| 地址： | 519090 广东省珠海市金*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半嵌入银纳米线复合透明电极及其制备方法，所述复合透明电极以PET膜为基底，在PET膜表面设有银纳米线导电膜，以及羟乙基纤维素膜，银纳米线导电膜由银纳米线密集交叉接触形成网络结构，羟乙基纤维素膜填充于银纳米线导电膜内，且羟乙基纤维素膜厚度小于银纳米线导电膜的厚度，使银纳米线半嵌于羟乙基纤维素膜内。本发明提供的半嵌入银纳米线复合透明电极透光率≥85％，方阻≤15Ω/sq，不但表现出优异的光电性能，其化学稳定性以及机械柔韧性相较于AgNWs‑PET电极也更为优异，具有良好的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入 纳米 复合 透明 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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