[发明专利]一种异质结自整流忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210589118.7 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN114883489A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 周广东;冉皓丰;胡小方;宋群梁;王丽丹;段书凯 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 王文娇 |
| 地址： | 400715 重庆市北*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种异质结自整流忆阻器及其制备方法。其中，一种异质结自整流忆阻器，包括依次叠加的第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层，所述第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层的势垒能够通过能带工程进行调控。其方法包括以下步骤：取基底、第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料；在所述基底上依次叠加进行第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料的溅射镀膜，镀膜后形成异质结自整流忆阻器。本发明的目的是解决现有的忆阻器会产生潜行电流，使其电阻值会发生变化，导致其储存的数据失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 整流 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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