[发明专利]一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法在审
| 申请号： | 202210590382.2 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115000251A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王苏杰;杨祺;潘彬;王向武 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/30;C23C16/04;C23C16/40;C23C28/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/42 |
| 代理公司： | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人： | 杨丽 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种GaP表面处理的ITO结构LED的制备方法，包括以下具体步骤：生长LED外延材料；SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 gap 表面 处理 ito 结构 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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