[发明专利]一种晶体生长过程中缺陷监控装备有效
| 申请号： | 202210595558.3 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN114959869B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵春锋;赵中阳;刘钊;张艳辉;荆爱明 | 申请（专利权）人： | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;H04N23/50;H04N7/18 |
| 代理公司： | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人： | 孙淑荣 |
| 地址： | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体生长过程中缺陷监控装备，涉及可视化单晶生长装置技术领域，包括生长炉、石英管、坩埚，坩埚下部设置有支撑装置，支撑装置下方设置有旋转装置，生长炉的内壁为圆锥面，其中上端为小径端，下端为大径端，生长炉内壁的下部分设置有反射条，生长炉与支撑装置之间设置有接受反射信号的监视器，监视器与反射条处于同一相位，监视器外部设置有冷却装置；本发明解决了现有的垂直梯度凝固法生长晶体时不可监控的问题，本发明石英管内晶体生长的可视状态信号通过生长炉内壁的反射条反实时的射到监控设备，加之石英管自身不断的转动，从而全方位的对晶体生长状态进行监控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 过程 缺陷 监控 装备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大庆溢泰半导体材料有限公司，未经大庆溢泰半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210595558.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
