[发明专利]一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法在审
| 申请号： | 202210598538.1 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN114899088A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘丹;刘福成;冯禹;李锡光 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李盛洪 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其涉及半导体清洗工艺领域，其包括湿法清洗和气相清洗，所述气相清洗为使用氢气蚀刻去除晶片表面顽固的有机物，其中氢气的温度控制在900～1500℃；本技术方案的湿法清洗主要用于去除表面黏着的磨抛液、表面的无机污染物、表面部分有机污染物及其它强吸附性物质，气相清洗法主要去除外延表面强吸附性的有机物质，本技术方案能够有效解决碳化硅外延片表面贴膜保护对外延表面带来的有机污染，解决背面生长层或硅化物问题的同时保证晶片清洗质量，提高清洗效率；本发明解决现有技术中贴膜保护导致外延表面会有顽固有机物残留的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 晶片 硅面贴膜后 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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