[发明专利]窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202210601670.3 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115011333A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 唐爱伟;林欧阳 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 邹芳德 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种窄谱带无镉发光半导体纳米晶及其制备方法，属于半导体材料技术领域，包括制备谱带无镉发光半导体纳米晶使用的药品为I族、Ⅲ族金属盐及Ⅵ族单质、化合物；光致发光光谱半峰全宽(FWHM)小于45nm；光致发光峰位于540nm‑585nm区间。本发明实现了I‑III‑VI族半导体纳米晶FWHM小于45nm的窄谱带发光；在维持光致发光峰的FWHM均小于45nm同时，实现了光谱范围在540‑585nm内范围可调，获得了绿、黄、橙三种AIS@GaS |
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| 搜索关键词： | 窄谱带无镉 发光 半导体 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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