[发明专利]抗跌落振膜结构芯片及其制备方法在审
申请号: | 202210607114.7 | 申请日: | 2022-05-31 |
公开(公告)号: | CN115022794A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 邱冠勋;林圆绍 | 申请(专利权)人: | 歌尔微电子股份有限公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00;H04R7/06 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 袁文婷;张娓娓 |
地址: | 266000 山东省青岛市崂*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种抗跌落振膜结构芯片及其制备方法,其中的抗跌落振膜结构芯片包括基板、设置在所述基板上的基底组件以及设置在所述基底组件上的振膜组件;所述基底组件包括至少两层上下叠设的基底层,其中,在相邻的两层所述基底层之间均设置有缓冲连接层。本发明提供的抗跌落振膜结构芯片及其制备方法能够解决现有技术中为抵抗芯片跌落损坏而导致振膜或背极板厚度或层数增多的问题。 | ||
搜索关键词: | 跌落 膜结构 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔微电子股份有限公司,未经歌尔微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210607114.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。