[发明专利]3D存储器件及其制造方法、存储系统、电子设备

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法，3D存储器件包括片存储区，片存储区包括：位于半导体衬底上的叠层结构；贯穿叠层结构的多个栅线隙，部分栅线隙将片存储区划分为多个块存储区，多个栅线隙沿第一方向排布，且相邻栅线隙之间设有贯穿叠层结构的多个沟道柱，片存储区包括沿第一方向排布的中心区和至少一个边缘区，至少一个边缘区中的至少一个栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，大于中心区中至少一个栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离。其中通过增大边缘区中栅线隙与其相邻沟道柱之间的最小距离，以避免受应力以及负载效应的影响导致3D NAND器件可靠性低、良率低的情况。