[发明专利]一种晶圆偏心的检测方法在审
| 申请号： | 202210610282.1 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114975154A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 马兵;李凯;王晓丹;曹广岳;白帆;李一曼 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B21/24 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 周永强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆偏心的检测方法，涉及半导体领域。一种晶圆偏心的检测方法，包括：刻蚀步骤，选取第一目标采样点和第二目标采样点步骤，确定第三目标采样点步骤，确定第四目标采样点步骤，确定第五目标采样点步骤，确定第五目标采样点所在采样圆的半径值步骤和确定偏差半径步骤。本申请能够解决当前调节方式无法保证晶圆中心与等离子体处理中心对齐的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏心 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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