[发明专利]发光器件及其制备方法在审
申请号: | 202210613870.0 | 申请日: | 2022-06-01 |
公开(公告)号: | CN115000116A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 李惠芸;刘芳;徐晓丽;杨丹;孙雷蒙;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 华引芯(武汉)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人: | 邓寅杰 |
地址: | 436000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种发光器件及制备方法,包括:在第一衬底中央开设扩散引流结构;扩散引流结构包括若干通孔和凹槽,若干通孔间隔排列形成通孔阵列,若干凹槽从通孔阵列向第一衬底的周缘辐射;在第一衬底错开扩散引流结构处形成若干间隔的发光单元;在第二衬底形成与发光单元对应的若干驱动电路;将发光单元和驱动电路通过连接层连接形成键合体;在键合体的外周缘点胶,使最外围的发光元件被胶体包围;在胶体围设的内外形成压差,利用压差将胶体通过扩散引流结构填充进发光元件的底部;固化后剥离第一衬底。通过以上方式,可获得底部填胶均匀、填充全面且无空洞的发光器件,且该制备工艺简单稳定性好且填充高效,能广泛应用于产业化。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的