[发明专利]一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法有效
| 申请号： | 202210620244.4 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN114695643B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 徐秋峰;濮思麒;沈浩;张忠伟;钱煜;张伟明;汪万盾;曹焕 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/337 | 分类号： | H01L41/337;H01L21/683 |
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| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，包括如下步骤：将铌酸锂单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；将标记的晶片放入碱性清洗液中超声清洗；将清洗后的晶片抛光面进行贴膜；将两片贴膜后晶片的贴膜面粘合，获得粘合工件；将粘合工件进行双面研磨；将研磨后的粘合工件清洗并脱膜。本发明通过工艺改进，提高产品良品率，返工后的单面抛光片具有背面粗糙度一致性好、平坦度指标高、加工效率高、生产成本低、工艺易实现和易监控等特点，能够满足产业化大规模批生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂 单面 抛光 背面 不良 返工 方法 | ||
【主权项】：
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