[发明专利]垂直发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210626478.X | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN115148870A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 郭茂峰;高默然;郑锦坚;毕京锋;沈侠强;金全鑫;王思琦 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种垂直发光二极管及其制备方法，利用ODR反射层的金属反射层和绝缘反射层与外延层构成MIS电容结构，令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从外延层的第一半导体层向发光层聚集，空穴从外延层的第二半导体层向发光层中聚集，提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本低；本发明仅对现有的垂直发光二极管稍加改进，不会显著增加结构和制备工艺的复杂程度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，未经厦门士兰明镓化合物半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210626478.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电池模组及电子装置
- 下一篇：生产焊接钢坯件的方法和相关的焊接坯件
