[发明专利]阻变式存储器的下电极及制备方法在审
| 申请号： | 202210628611.5 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115394911A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;仇圣棻;陈亮;潘国华 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王迎;袁文婷 |
| 地址： | 311305 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻变式存储器的下电极及其制备方法，其中的制备方法包括：对底部介电层的表面进行平坦化处理，使填充在介电层内的导电材料层全部或部分裸露；对导电材料层进行回刻蚀，以及干法和/或湿法清洗，以使导电材料层的表面高度低于介电层的表面；对裸露在介电层上端的导电材料层进行还原化处理，在导电材料层的表面选择性生长下电极层，并且，下电极层的表面高度不低于介电层的表面高度；在下电极层的上部生长阻变层及上电极叠层后，对得到的存储器基础结构依次进行刻蚀处理；对刻蚀后的存储器结构进行金属间介电质填充及平坦化处理，以完成阻变式存储器的下电极制备。利用上述发明能够简化阻变式存储器的制备工艺，提高制备质量。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变式 存储器 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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