[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210629378.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN115064535A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L27/06;H01L21/265;H01L21/324;H01L29/861;H01L21/329;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明目的在于提供可独立对pnp区域的动作和pn区域的动作进行控制的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置具有由下述结构构成的层叠构造：n型n‑i层(3)；p型p阳极层(4)，其形成于n‑i层(3)表面；n型n‑缓冲层(7)，其形成于n‑i层(3)背面；n型n+阴极层(5)及p型p集电极层(6)，它们在俯视观察时彼此相邻地或相邻部分重叠地形成于n‑缓冲层(7)背面或n‑i层(3)及n‑缓冲层(7)背面；表面电极(8)，其以覆盖p阳极层(4)表面的方式形成；以及背面电极(9)，其以覆盖n+阴极层(5)及p集电极层(6)背面的方式形成，n+阴极层(5)在层叠构造中的层叠高度位置与p集电极层(6)在层叠构造中的层叠高度位置不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
