[发明专利]半导体晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210633284.2 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115050835A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 林艳霞;曹宇;张志勇 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 孙敬霞;韩德凯 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中，半导体晶体管，包括：衬底层、沟道层、源极、漏极和栅叠层结构，栅叠层结构包括栅介质层和位于栅介质层之上的栅极，栅介质层形成于沟道层之上，半导体晶体管还包括：低k侧墙，低k侧墙形成于沟道层之上的栅叠层结构两侧；源极与栅叠层结构一侧的低k侧墙接触并同时与沟道层的端部和顶部接触；漏极与栅叠层结构另一侧的低k侧墙接触并同时与沟道层的端部和顶部接触；其中，源极与沟道层顶部的接触长度和漏极与沟道层顶部的接触长度相同。本公开的半导体晶体管具有基于全面接触方式的自对准结构，沟道层、栅叠层结构和源漏极的接触区域高精度对准，能够在缩减接触长度的同时降低接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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