[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210634555.6 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115117147A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘昊炎;李永亮;殷华湘;罗军;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 梁佳美 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以提高CFET器件的工艺兼容性，进而降低CFET器件的集成难度。该半导体器件包括：基底、第一晶体管、第二晶体管和牺牲隔离层。第一晶体管形成在基底上。第二晶体管形成在第一晶体管的上方，第二晶体管与第一晶体管的导电类型相反。第二晶体管和第一晶体管中的至少一者为环栅晶体管或鳍式场效应晶体管。第二晶体管包括的第二源区和第二漏区均至少部分形成在第一晶体管包括的第一沟道的上方。牺牲隔离层形成在第一沟道与第二源区、以及第一沟道和第二漏区之间。沿着第一沟道的长度方向，牺牲隔离层位于第一沟道上方的部分与第一沟道的边缘区域对齐。半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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