[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210634591.2 | 申请日： | 2022-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN115116956A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 李纯;刘昊炎;李永亮;殷华湘;罗军;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 梁佳美 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于降低具有异质沟道的CFET器件的集成难度。所述半导体器件的制造方法包括：在基底上形成鳍状结构。沿着基底的高度方向，鳍状结构依次包括第一鳍部、器件隔离层和第二鳍部。第一鳍部包括至少一层第一半导体层。器件隔离层与第一半导体层的材质相同。第二鳍部包括至少一层第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层的材质不同。至少在第一鳍部沿宽度方向的两侧形成保护层。至少对暴露在保护层之外的器件隔离层进行绝缘处理，获得隔离材料层。去除保护层。基于第一鳍部包括的第一半导体层制造第一晶体管包括的第一沟道、以及基于第二鳍部包括的第二半导体层制造第二晶体管包括的第二沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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