[发明专利]一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210640920.4 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115206800A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨大宝;刘波;邢东;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L23/373;H01L23/367;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 刘少卿 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基太 赫兹 倍频 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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