[发明专利]一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法在审
| 申请号： | 202210641596.8 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115064436A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 谭博 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法，涉及晶圆加工技术领域。所述一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法包括以下步骤：S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，蚀刻掉晶圆上的一层氮化硅沉积层，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成侧壁。本发明提供的一种用于晶圆的沟槽晶体管加工方法通过在晶圆上制作接触孔时，侧壁可以对接触孔和沟槽中的多晶硅之间提供绝缘保护，避免接触孔中填充金属时因为接触孔位置偏差导致金属和多晶硅之间产生导电，使得在晶圆背面制作晶体管和金属时，降低设备的精度需求，即使蚀刻位置产生偏差，也不会影响到晶圆的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 沟槽 晶体管 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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