[发明专利]通孔电阻测试结构与测试通孔电阻的方法在审
| 申请号： | 202210642551.2 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN115064519A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种通孔电阻测试结构与测试通孔电阻的方法。该测试结构包括N个通孔；N+1层叠置的金属线，相邻两层金属线之间通过通孔连接；N+3个测试焊垫，其中，两个测试焊垫分别连接在其中两层金属线各自长度方向的第一端，其余测试焊垫一一对应地与各金属线的长度方向的第二端、或者各金属线的宽度方向的第一端、或者各金属线的宽度方向的第二端连接，其中，N为大于或者等于2的整数。采用N+3个测试焊垫实现对N个通孔的电阻的测量，节省了测试焊垫的数量，进一步地节省了晶圆面积，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210642551.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：仲钨酸铵结晶母液的处理方法
- 下一篇：半导体器件的制作方法与半导体器件
