[发明专利]半导体器件的制作方法与半导体器件

摘要

本申请提供了一种半导体器件的制作方法与半导体器件。该方法包括：形成基底结构，基底结构包括衬底和堆叠结构，堆叠结构包括本体结构、栅极线狭缝和第二虚拟沟道孔，本体结构包括交替设置的第一牺牲层和绝缘介质层，栅极线狭缝包括第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝，第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝间隔设置，且第二虚拟沟道孔位于第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝之间；在栅极线狭缝中形成第二牺牲层；至少去除第一牺牲层和第二牺牲层。该方法中，第二虚拟沟道孔将第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝隔开，不会导致其他位置的牺牲层材料增加，简化去除牺牲层的方法。