[发明专利]一种Micro LED芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202210643693.0 申请日: 2022-06-08
公开(公告)号: CN114937726A 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 王斌飞;刘林启 申请(专利权)人: 刘林启
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 赵兴华
地址: 115200 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种MicroLED芯片及其制作方法,属于半导体技术领域,包括DBR反射层,位于DBR反射层之上的外延结构,位于外延结构之上的电流阻挡层,位于外延结构和电流阻挡层之上的透明导电层,位于透明导电层之上的扩展电极,位于DBR反射层、外延结构、电流阻挡层、透明导电层和扩展电极之上的绝缘保护层,位于外延结构、扩展电极和绝缘保护层之上的焊接电极,从而提供了一种新型的芯片结构,采用正装芯片结构,且正负焊接电极等高,对MicroLED芯片结构进行了扩展。
搜索关键词: 一种 micro led 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
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