[发明专利]一种双栅极TFT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210644076.2 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN114937703A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;李澈 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双栅极TFT器件及其制造方法，包括：玻璃基板、缓冲层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层、有机平坦层和第三金属层；缓冲层上至少具有两个第一凹槽，缓冲层上依次覆盖有第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层；第二金属层与半导体层搭接；第二绝缘层表面覆盖带有第二凹槽设计的有机平坦层；沿有机平坦层的第二凹槽覆盖一第三金属层，第三金属层与第二绝缘层接触。本发明通过在玻璃基板上增加一层带有凹槽设计的缓冲层，依靠凹槽的侧边的长度来减小TFT结构器件在Panel中的占比面积，利用触控金属层作为TFT的Topgate，获得电学性能更为稳定的双栅极TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 tft 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司，未经福建华佳彩有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210644076.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
