[发明专利]半导体装置及其制作方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制作方法，包括衬底、存储节点焊盘、支撑结构以及电容结构。存储节点焊盘、支撑结构设置在衬底上，支撑结构包括第一支撑层以及第二支撑层。电容结构设置在衬底上，并包括多个电容。各电容依序包括底电极层、电容介电层、以及顶电极层，其中，各底电极层具有向上延伸的两部分，两部分之一分别包括延伸于各存储节点焊盘与第一支撑层之间的第一厚度、以及延伸于第一支撑层与第二支撑层之间的第二厚度，第一厚度大于第二厚度。由此，可改善存储节点的结构可靠性，进而优化半导体装置的功能与效能。