[发明专利]一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法在审
申请号: | 202210671967.7 | 申请日: | 2022-06-14 |
公开(公告)号: | CN114975485A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 黄德伦;朱伟丽;李仕平;夏宗法;黄志鸿 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人: | 戴雨君 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种改善金属氧化物绝缘层氧化硅龟裂及针孔的制备方法,有别于现行镀膜方式的固定下电极以恒定等离子体的密度及位置进行镀膜的技术手段。本发明采用的是一边镀膜一边不间断微调下电极进行上下活动的动态镀膜方式。镀膜过程电极处于不间断动态调整,可稍微改变等离子状态,达到镀膜不连续效果,起到重新填补氧化硅龟裂作用及针孔不连续效果。本发明动态电极镀膜方式大幅改善金属氧化物绝缘层氧化硅的龟裂及针孔现象,使得金属氧化物绝缘层氧的针孔变得轻微且不连续,发挥阻挡后制程及环境不良掺杂的功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 金属 氧化物 绝缘 氧化 龟裂 针孔 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的