[发明专利]稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202210683697.1 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN115000252A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 王晓丹;罗璇;陈华军;王丹;毛红敏;葛丽娟;曾雄辉 | 申请（专利权）人： | 苏州科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/324;H01L21/205;H01L21/02;C30B29/40;C30B25/16;C30B25/14;C30B25/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种稀土掺杂GaN纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一、在反应器中第一进气通道、第三进气通道内分别设置有镓金属蒸发池、稀土铕金属蒸发池，所述衬底设置于反应器的底部；步骤二、以氮气和氢气的混合气体作为载气混合有氨气从第二进气通道进入反应器内，氯化氢作为反应气体分别流过设置有镓金属蒸发池、稀土铕金属蒸发池的第一进气通道、第三进气通道，从而在衬底上形成铕掺GaN单晶薄膜；步骤三、将步骤二获得的铕掺GaN单晶薄膜装入炉中退火，退火条件为：氮气或和氨气，退火温度为1000~1200℃，退火时间为0.5~4 h。本发明制备方法获得的GaN纳米薄膜稀土离子掺入均匀并能使得稀土离子进入GaN晶格。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 掺杂 gan 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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