[发明专利]半导体装置及功率放大器在审

专利信息
申请号: 202210684543.4 申请日: 2022-06-17
公开(公告)号: CN115498032A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 黄皆智;林彦丞;林正国;王伟州;林哲楷 申请(专利权)人: 稳懋半导体股份有限公司
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L29/10
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛;叶明川
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体装置及功率放大器,所述半导体装置包括:衬底;沟道层,设置于衬底上,其中沟道层是以氮化镓形成;阻挡层,设置于沟道层上,其中阻挡层是以氮化铝镓AlzGa1‑zN形成;以及插入结构,插入于沟道层与阻挡层之间。插入结构包括:第一插入层,设置于沟道层上,其中第一插入层是以氮化铝镓AlxGa1‑xN形成;以及第二插入层,设置于第一插入层上,其中第二插入层是以氮化铝镓AlyGa1‑yN形成,且y大于x。半导体装置还包括:栅极电极,设置于阻挡层上;源极电极和漏极电极,设置于阻挡层上,且分别于栅极电极的相对两侧;以及尖状区,形成于源极电极和漏极电极的至少一个之下。
搜索关键词: 半导体 装置 功率放大器
【主权项】:
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