[发明专利]一种极高增益4H-SiC基宽谱光电晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210686413.4 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115000197A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 杨苗苗;樊亚萍;崔艳霞;潘登;李国辉;冀婷 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0312;H01L31/112;H01L31/18 |
| 代理公司： | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人： | 赵江艳 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种极高增益4H‑SiC基宽谱光电晶体管，包括4H‑SiC基底，4H‑SiC基底的硅面上设置第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极，第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极之间设置有间隙；第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极为随机分布Ag纳米颗粒形成；4H‑SiC基底的碳面上设置有氧化铝层，氧化铝层上设置有栅极Ag层；第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极分别作为源极和漏极，栅极Ag层作为栅极。本发明探测性能优越，并且制备工艺非常简单、成本较为低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极高 增益 sic 基宽谱 光电晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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