[发明专利]制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件有效
| 申请号： | 202210694215.2 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN114783869B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;惠利省 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘桐亚 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件。制备半导体结构的方法包括S100，获取晶体外延结构，包括含铝外延层及设置于含铝外延层上的限制层；S200，在限制层上开设多个开口；靠近含铝外延层中心线的开口的口径大于远离含铝外延层中心线的开口的口径；S300，将晶体外延结构置入湿法氧化装置，使在含铝外延层两侧形成氧化介质层，中央形成电流通道。该半导体结构使用制备半导体结构的方法制备。该半导体器件包括半导体结构。本发明的制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件，缓解了现有技术中存在的外延结构氧化后绝缘体分布不均匀的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 结构 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
