[发明专利]一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法在审
| 申请号： | 202210702408.8 | 申请日： | 2022-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN114933729A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 潘曹峰;程韬;韩勋 | 申请（专利权）人： | 江苏振宁半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | C08J7/06 | 分类号： | C08J7/06;C08L83/04;C08L67/02 |
| 代理公司： | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人： | 刘威威 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市邳州市经济开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型ZnO纳米线阵列的制备方法，涉及ZnO纳米线阵列技术领域，其技术方案要点包括：步骤一：旋涂处理：在半导体材料制成的基底的上表面旋涂一层光刻胶；步骤二：转印处理：将纳米阵列的模板压印在所述基底的所述压印胶上，使纳米阵列转印至所述压印胶上；步骤三：阵列处理：将转印有纳米阵列的基底倒置，与硅基底进行结合，并形成纳米级的微通道阵列，并将ZnO盐溶液滴至微通道阵列的一端，以使所述ZnO盐溶液受到所述微通道阵列的毛细力的作用下。通过对压印胶从所述硅基底进行揭除时，通过对分离区进行持续性加热，使压印胶与硅基底进行分离，确保ZnO纳米线阵列能够保持完整性，避免在分离中出现ZnO纳米线阵列的断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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